薄膜
电子束镀膜机Electron Beam Evaporator
◆可提供6种蒸发源的电子束蒸发Mo、Al、Cu、AlCu、Ti、Au
◆全自动操作或手动操作
◆可提供多层沉积
◆薄膜沉积前预处理功能
◆均匀性低于2%以下（1 sigma算法）
◆石英晶振实时监控沉积厚度
◆全自动操作或手动操作
◆可提供多层沉积
◆薄膜沉积前预处理功能
◆均匀性低于2%以下（1 sigma算法）
◆石英晶振实时监控沉积厚度
集群溅射沉积系统Cluster Sputtering Deposition System
◆Ti/Cu/TiW 3种溅射靶材
◆均匀性低于2%以下（1 sigma算法）
◆载片台温度在25 °C到300 °C范围内
◆硅片预清洁功能采用离子轰击技术
◆均匀性低于2%以下（1 sigma算法）
◆载片台温度在25 °C到300 °C范围内
◆硅片预清洁功能采用离子轰击技术
AlN溅射体统Aluminum Nitride Sputtering System
◆可提供Mo/Al/AlN/AlScN（钪含量9.6% ~ 40%）的沉积
◆可加工高C轴定向工艺(FWHM＜1.5度)
◆载片台温度在25 °C到300 °C范围内
◆硅片预清洁功能采用离子轰击技术（氩气或者氢气）
◆薄膜应力可以控制到小于150MPa以下
◆均匀性低于0.5%以下（1 sigma算法）
◆可加工高C轴定向工艺(FWHM＜1.5度)
◆载片台温度在25 °C到300 °C范围内
◆硅片预清洁功能采用离子轰击技术（氩气或者氢气）
◆薄膜应力可以控制到小于150MPa以下
◆均匀性低于0.5%以下（1 sigma算法）
等离子体增强化学气相沉积系统Plasma enhanced chemical vapor deposition system
◆具备广泛的应用和工艺(氮化硅/氧化硅/氮化硅/a-Si：H/磷硅玻璃)
◆载片台温度在25 °C到300 °C范围内
◆均匀性低于1%以下（1 sigma算法）
◆良好的台阶覆盖率
◆载片台温度在25 °C到300 °C范围内
◆均匀性低于1%以下（1 sigma算法）
◆良好的台阶覆盖率
