氧化退火
热氧化炉Oxidation Furnace
◆温度范围600-950℃
◆热氧化方式：干氧/湿氧
◆氧化层厚度均匀性U≤2%（wiw），U≤3%（wtw）
◆非金属退火工艺
◆热氧化方式：干氧/湿氧
◆氧化层厚度均匀性U≤2%（wiw），U≤3%（wtw）
◆非金属退火工艺
晶圆分选机Wafer Sorter
◆全自动分选
◆4装载/卸载平台，可自动（CIM系统）/手动作业，花篮/卡槽指定互传，可视化操作界面
◆4装载/卸载平台，可自动（CIM系统）/手动作业，花篮/卡槽指定互传，可视化操作界面
硅片激光打标机Wafer Laser Marker
◆打点直径70±10um
◆深度：2.5um±1um
◆字符高度：1.44mm
◆定位精确度：±100um
◆深度：2.5um±1um
◆字符高度：1.44mm
◆定位精确度：±100um
