干法刻蚀
TCP刻蚀机
◆刻蚀材料：SI/POLY
◆刻蚀速率＞400nm/min
◆刻蚀均匀性＜3%
◆刻蚀形貌60°~90°
◆刻蚀速率＞400nm/min
◆刻蚀均匀性＜3%
◆刻蚀形貌60°~90°
ICP刻蚀（金属）
◆刻蚀材料ALN/MO/ALSCN
◆ALN刻蚀速率＞200nm/min；Mo刻蚀速率＞150nm/min
◆ALN均匀性＜3%，Mo刻蚀均匀性＜8%
◆ALN侧壁形貌30度~90度，MO侧壁形貌15度~90度
◆ALN刻蚀速率＞200nm/min；Mo刻蚀速率＞150nm/min
◆ALN均匀性＜3%，Mo刻蚀均匀性＜8%
◆ALN侧壁形貌30度~90度，MO侧壁形貌15度~90度
ICP刻蚀（介质）
◆刻蚀材料：SIO2/PSG/FSG/SIN
◆SIO2刻蚀速率＞2500A/MIN
◆SIO2均匀性＜3%
◆SIO2侧壁形貌20度~90度
◆SIO2刻蚀速率＞2500A/MIN
◆SIO2均匀性＜3%
◆SIO2侧壁形貌20度~90度
干法去胶
◆ICP power up to 1000W
◆工艺温度100度~ 250度
◆去胶速率＞4um/min,均匀性＜8%（250度）
◆工艺温度100度~ 250度
◆去胶速率＞4um/min,均匀性＜8%（250度）
深硅刻蚀机
◆刻蚀材料：SI
◆SI刻蚀速率可达到20um/min
◆SI均匀性＜3%
◆SI侧壁形貌60度~90度
◆SI刻蚀速率可达到20um/min
◆SI均匀性＜3%
◆SI侧壁形貌60度~90度
调频机Trimmer
◆PCW精确控温
◆可以精确调整膜层厚度，误差0.5nm
◆可以调整膜层厚度范围10nm~200nm
◆可以调整膜层材料ALN/MO/CU/SiO2等
◆可以精确调整膜层厚度，误差0.5nm
◆可以调整膜层厚度范围10nm~200nm
◆可以调整膜层材料ALN/MO/CU/SiO2等
